朱一明：从清华学霸到存储产业破局者，缔造两家千亿级芯片巨头的产业突围之路

在全球半导体产业格局中，中国存储芯片曾长期处于 “卡脖子” 困境。然而，一位清华学霸的出现，以数十年如一日的深耕与突破，不仅打破了海外巨头对存储领域的垄断，更一手缔造了两家千亿级芯片企业，为中国半导体产业的自主化进程写下浓墨重彩的一笔。他，就是朱一明。

一、存储产业的 “中国空白” 与突围契机

存储芯片作为信息时代的 “基石”，其重要性堪比工业时代的钢铁。其中，动态随机存取存储芯片（DRAM）作为算力运行的核心支撑，长期被韩国三星、SK 海力士、美国美光三大巨头垄断，占据全球存储市场半壁江山。而中国作为全球最大的存储芯片需求国，每年进口花费高达 6000 多亿元，却始终未能在 DRAM 领域拥有自主产能，这一 “卡脖子” 困境成为中国半导体产业的痛点。

在这样的产业背景下，朱一明的出现为打破垄断带来了曙光。这位 1972 年出生于江苏盐城的学霸，凭借优异的成绩考入清华大学物理系，后赴美留学，在纽约州立大学石溪分校专攻集成电路设计与研究，深厚的学术积累与对全球半导体产业规律的洞察，为其后来的产业突围奠定了基础。

二、兆易创新：从设计切入，奠定产业根基

2004 年，朱一明怀揣 “做中国最大的存储器设计和制造者” 的梦想开启创业之路。彼时，他敏锐地意识到，重资产的芯片制造门槛过高，遂选择从芯片设计切入，聚焦 Nor Flash 闪存领域。

创业初期的融资之路异常艰难。在多数投资人对半导体项目持观望态度时，朱一明凭借对产业趋势的精准判断 ——“未来几十年，存储产业将逐步从美国转向日本、韩国和中国大陆”，以及执着的信念，打动了清华校友李军及传奇投资人周顺圭，获得了关键的 92 万美元启动资金。这笔资金虽微薄，却成为兆易创新崛起的起点。

凭借技术积累与市场深耕，兆易创新在 Nor Flash 领域快速突破，最终成长为全球第三、中国第一的 Nor Flash 供应商，并成功在 A 股上市，市值一度突破千亿元。尽管 Nor Flash 在全球存储市场占比不足 2%，但兆易创新的成功，不仅让朱一明积累了产业经验与资本，更坚定了他向更高难度的 DRAM 领域进军的决心。

三、长鑫存储：千亿豪赌，打破 DRAM 垄断壁垒

兆易创新的成功并未让朱一明止步。他深知，要真正改变中国存储产业的被动局面，必须攻克 DRAM 这一核心领域。起初，他试图通过收购海外企业切入 DRAM 市场，却以失败告终。最终，他决定从零开始，自建 DRAM 工厂。

这一决定与合肥市政府的产业布局不谋而合。合肥曾因押注京东方成功终结 “缺屏之痛”，此时正将目光投向半导体领域。双方基于共同的目标达成深度合作，一场关乎中国存储产业命运的 “千亿豪赌” 就此展开 —— 合肥市政府承担了项目一期 180 亿元投资中的 135 亿元，而朱一明则肩负起技术突破与产能落地的重任。

（一）技术攻坚：从无到有的突破

DRAM 制造涉及成百上千道工序，技术壁垒极高，且先发巨头持续迭代，后发者稍有不慎便会陷入 “投产即落后” 的困境。长鑫存储的技术团队几乎从零起步，在厂房与设备尚未到位时便启动研发：没有固定生产基地，团队带着晶圆全球奔波，在不同合作厂商间完成各道工序；项目尚在打桩阶段，便大规模招募人才，甚至吸引了中科大大量顶尖人才加入。

为加速技术突破，朱一明邀请曾担任中芯国际 CEO 的王宁国主导工厂建设与技术攻坚。同时，通过收购德国奇梦达的专利资产，获得 1000 万份技术文档、2.8TB 数据及大量核心专利，既规避了专利纠纷，又加速了技术迭代。

（二）产能落地：速度与质量的双重突破

2017 年 3 月，长鑫存储项目正式动工。在团队的高效推进下，仅用 10 个月便完成工厂建设，2019 年三季度实现量产，一举终结了中国不能制造 DRAM 的历史。此后，产能快速提升：从投产初期的 2 万片 / 月，到 2020 年底的 7 万片 / 月，再到 2024 年二期工厂投产后的 24 万片 / 月，速度令业界惊叹。

在良率与技术迭代上，长鑫存储同样表现亮眼。第一代 DDR4 内存初期良率目标仅为不低于 10%，而最新一代 DDR5 内存良率从一开始就达到 40%，目前稳定在 80% 左右，逼近三星、SK 海力士水平，充分展现了其技术实力的快速提升。

（三）生态构建：政企协同与资本助力

长鑫存储的发展离不开持续的资金投入与生态支持。合肥市政府不仅直接出资，还通过旗下合肥产投集团吸引国家大基金、阿里、腾讯、中金等社会资本参与，形成多元化融资体系。同时，合肥投资 2000 亿元打造存储产业集群，涵盖晶圆制造基地、配套产业园及国际小镇，为长鑫存储提供了完善的产业生态。

这种政企协同模式，既解决了企业的资金难题，又推动了区域产业升级。2025 年，长鑫存储启动 IPO 进程，预计估值达 1500 亿元，合肥市政府也因此获得丰厚回报，实现了企业与地方的双赢。

四、前瞻布局：HBM 领域的新突破

在传统 DRAM 领域站稳脚跟后，长鑫存储将目光投向了更高端的存储芯片 —— 高带宽存储器（HBM）。HBM 具有更高带宽、更低延迟的特性，是 AI 时代算力芯片的核心配套，目前仍被海外企业垄断。

2025 年 1 月，国家专利局公开的 HBM 专利显示，长鑫存储在该领域已迈出实质性步伐。据媒体报道，其 HBM 产品已向客户送样，计划 2026 年年中实现小规模量产，有望打破海外在高端存储领域的又一封锁，为中国人工智能产业的自主发展提供关键支撑。

五、产业启示：中国半导体突围的核心逻辑

朱一明与长鑫存储的崛起，并非偶然，而是中国半导体产业突围的一个缩影。从兆易创新到长鑫存储，其成功背后折射出三大核心逻辑：

• 技术驱动：以朱一明为代表的技术团队深耕核心技术，持续突破专利壁垒与制造难题，是企业生存与发展的根本。

• 政企协同：合肥市政府的战略眼光与资金支持，为长鑫存储的快速成长提供了关键助力，展现了政府在推动战略性新兴产业发展中的重要作用。

• 长期主义：存储产业属于重资产、强周期行业，需要忍受长期投入与市场波动。朱一明及团队的执着与坚持，以及合肥市政府的长远布局，共同成就了这场产业突围。

朱一明的故事，不仅是个人创业的传奇，更是中国半导体产业从追赶到并跑的生动实践。对于希望深入了解智能制造与产业资本运作的从业者而言，相关研修班课程（https://www.bjs.org.cn/c/16516.html 智能制造产业资本运作与并购高级研修班）或许能提供更多视角与启发。

免责声明：本文内容基于公开资料整理，不构成任何投资建议。版权属于原作者，如有侵权请及时联系我们删除。